■ ＵＶ表面処理：洗浄の対象（例）
微細な加工や薄膜形成プロセスにおいては、例えば半導体基盤などでは
パーティクル(塵埃)や有機物汚染が原因で回路の断線や短絡等が発生する
可能性があるため、各工程間で必ず洗浄を実施するのが望ましいとされます。
原材料ウェーハの洗浄を例に見ると、取り除く汚れは以下に分類できます。
有機物の汚染膜などの場合、大きいものにはウェット洗浄、微細なものには
光洗浄、と洗浄方法を組み合わせることで洗浄効果を大幅にアップさせる
ことが可能になります。『汚れ』・『汚れの膜』は洗浄の対象で、シリコン等での
酸化膜除去にはアッシングと呼ばれる手法が用いられます。
（１）パーティクル（単なるゴミだが、目に見えないレベル）
ウェーハを箱から出したり、移動させたりするときに、工場の空気中などから付着するゴミ。
そのサイズは最大でも数μm、最小では0.1μmクラス。
（２）金属系の汚染
人体から蒸発した汗に含まれたナトリウム分子や、工場内で使用している薬液類に
含まれる微量な重金属原子など。ナトリウム等は他の物質との合成物になりやすく、
湿式洗浄で落とせるケースが多い。
（３）有機汚染＝炭素分
人のフケや垢に含まれる炭素や、工場内で使う薬液に含まれる微量の炭素分子など。
また、純水配給経路の中でバクテリアが発生すれば、それも有機汚染のひとつとなる。
（４）油脂
人の体表や汗、指紋などに含まれる油分など。
（５）自然酸化膜
ウェーハが大気に触れると、その表面が大気中の酸素と結合して1〜2nm（100万分の1〜2mm）
の酸化膜ができる。この酸化膜には大気中の不純物が混入するため、汚染のひとつとなる。
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